HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S2386-8K
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S2386-8K 0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 详细参数 受光面 5.8 × 5.8 mm 像素数 1 封装 金属 封装类别 TO-8 制冷 非冷却型 反向电压（最大值） 30 V 灵敏度波长范围 320 至 1100 nm 最大灵敏度波长（典型值） 960 nm 感光灵敏度（典型值） 0.6 A/W 暗电流（最大值） 50 pA 上升时间（典型值） 10 μs 结电容（典型值） 4300 pF 噪声等效功率（典型值） 2.1×10-15 W/Hz1/2 测量条件 典型值 Ta=25°C，感光灵敏度：λ = 960 nm，暗电流：VR = 10 mV，结电容：VR = 0 V，f = 10 kHz，噪声等效功率：VR = 0 V，λ = λp，除非另有说明 ...
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HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S2386-8K
0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877
详细参数
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受光面 |
5.8 × 5.8 mm |
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像素数 |
1 |
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封装 |
金属 |
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封装类别 |
TO-8 |
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制冷 |
非冷却型 |
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反向电压（最大值） |
30 V |
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灵敏度波长范围 |
320 至 1100 nm |
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最大灵敏度波长（典型值） |
960 nm |
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感光灵敏度（典型值） |
0.6 A/W |
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暗电流（最大值） |
50 pA |
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上升时间（典型值） |
10 μs |
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结电容（典型值） |
4300 pF |
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噪声等效功率（典型值） |
2.1×10-15 W/Hz1/2 |
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测量条件 |
典型值 Ta=25°C，感光灵敏度：λ = 960 nm，暗电流：VR = 10 mV，结电容：VR = 0 V，f = 10 kHz，噪声等效功率：VR = 0 V，λ = λp，除非另有说明 |
