HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S3399
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S3399 0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 详细参数 受光面 φ3 mm 像素数 1 封装 金属 封装类别 TO-5 散热 非冷却型 反向电压（最大值） 30 V 灵敏度波长范围 320 至 1000 nm 最大灵敏度波长（典型值） 840 nm 感光灵敏度（典型值） 0.58 A/W 暗电流（最大值） 1000 pA 截止频率（典型值） 100 MHz 结电容（典型值） 20 pF 噪声等效功率（典型值） 9.4×10-15 W/Hz1/2 测量条件 Ta = 25°C，典型值，感光灵敏度：λ = 780 nm，暗电流：VR = 10 V，截止频率：VR = 10 V，结电容：VR = 10 V，f = 1 MHz，噪声等效功率：VR = 10 V，λ = λp，除非另有说明 ...
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描述
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S3399
0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877
详细参数
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受光面 |
φ3 mm |
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像素数 |
1 |
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封装 |
金属 |
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封装类别 |
TO-5 |
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散热 |
非冷却型 |
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反向电压（最大值） |
30 V |
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灵敏度波长范围 |
320 至 1000 nm |
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最大灵敏度波长（典型值） |
840 nm |
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感光灵敏度（典型值） |
0.58 A/W |
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暗电流（最大值） |
1000 pA |
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截止频率（典型值） |
100 MHz |
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结电容（典型值） |
20 pF |
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噪声等效功率（典型值） |
9.4×10-15 W/Hz1/2 |
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测量条件 |
Ta = 25°C，典型值，感光灵敏度：λ = 780 nm，暗电流：VR = 10 V，截止频率：VR = 10 V，结电容：VR = 10 V，f = 1 MHz，噪声等效功率：VR = 10 V，λ = λp，除非另有说明 |
