HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S5821-02
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S5821-02 0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 详细参数 受光面 φ1.2 mm 像素数 1 封装 金属 封装类别 TO-18 散热 非冷却型 反向电压（最大值） 20 V 灵敏度波长范围 320 至 1100 nm 最大灵敏度波长（典型值） 960 nm 感光灵敏度（典型值） 0.52 A/W 暗电流（最大值） 2000 pA 截止频率（典型值） 25 MHz 结电容（典型值） 3 pF 噪声等效功率（典型值） 6.7×10-15 W/Hz1/2 测量条件 典型值 Ta=25°C，感光灵敏度：λ = 780 nm，暗电流：VR = 10 V，截止频率：VR = 10 V，结电容：VR = 10 V，f = 1 MHz，噪声等效功率：VR = 10 V，λ = λp，除非另有说明 ...
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HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S5821-02
0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877
详细参数
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受光面 |
φ1.2 mm |
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像素数 |
1 |
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封装 |
金属 |
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封装类别 |
TO-18 |
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散热 |
非冷却型 |
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反向电压（最大值） |
20 V |
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灵敏度波长范围 |
320 至 1100 nm |
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最大灵敏度波长（典型值） |
960 nm |
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感光灵敏度（典型值） |
0.52 A/W |
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暗电流（最大值） |
2000 pA |
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截止频率（典型值） |
25 MHz |
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结电容（典型值） |
3 pF |
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噪声等效功率（典型值） |
6.7×10-15 W/Hz1/2 |
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测量条件 |
典型值 Ta=25°C，感光灵敏度：λ = 780 nm，暗电流：VR = 10 V，截止频率：VR = 10 V，结电容：VR = 10 V，f = 1 MHz，噪声等效功率：VR = 10 V，λ = λp，除非另有说明 |
