EXCELITAS 埃塞力达 C30845EH 硅PIN光电二极管
EXCELITAS 埃塞力达 C30845EH 硅PIN光电二极管 感光直径 (mm)：8感光面积（mm²）：50*低击穿电压（V）：100每个元件的典型电容（pF）：8每个元件的*大电容（pF）：10每个元件在10 V下的典型暗电流(nA)：70每个元件在10 V下的*大暗电流(nA)：200每个元件在45 V下的典型暗电流(nA)：200每个元件在45 V下的*大暗电流(nA)：700每个元件在900 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：0.43每个元件在900 nm处的*大噪声电流(pA/√Hz)：1.80每个元件在1060 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.5每个元件在1060 nm处的*大噪声电流(pA/√Hz)：6.5典型上升时间(ns)：6典型下降时间(ns)：10储存温度(℃)：-60至100工作温度(℃)：-40至80 手机/微信：13682357734 电话：0755-84690029 QQ: 2844337877 邮箱：2844337877@qq.com...
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货号：
C30845EH 硅PIN光电二极管
描述
EXCELITAS 埃塞力达 C30845EH 硅PIN光电二极管
- 感光直径 (mm)：8
感光面积（mm²）：50
*低击穿电压（V）：100
每个元件的典型电容（pF）：8
每个元件的*大电容（pF）：10
每个元件在10 V下的典型暗电流(nA)：70
每个元件在10 V下的*大暗电流(nA)：200
每个元件在45 V下的典型暗电流(nA)：200
每个元件在45 V下的*大暗电流(nA)：700
每个元件在900 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：0.43
每个元件在900 nm处的*大噪声电流(pA/√Hz)：1.80
每个元件在1060 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.5
每个元件在1060 nm处的*大噪声电流(pA/√Hz)：6.5
典型上升时间(ns)：6
典型下降时间(ns)：10
储存温度(℃)：-60至100
工作温度(℃)：-40至80
手机/微信：13682357734 电话：0755-84690029 QQ: 2844337877 邮箱：2844337877@qq.com
