HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-320
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-320 详细参数 受光面 48 × 48 mm 芯片厚度 320 ± 15 μm 非感光层厚度（正面） 1.5 μm 非感光层厚度（背面） 20 μm 满耗电压最大值 100 V 暗电流最大值 100 nA 截止频率 3 MHz 结电容 860 pF 0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 邮箱：2844337877@qq.com
分类：
描述
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-320
详细参数
|
受光面 |
48 × 48 mm |
|
芯片厚度 |
320 ± 15 μm |
|
非感光层厚度（正面） |
1.5 μm |
|
非感光层厚度（背面） |
20 μm |
|
满耗电压最大值 |
100 V |
|
暗电流最大值 |
100 nA |
|
截止频率 |
3 MHz |
|
结电容 |
860 pF |
0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 邮箱：2844337877@qq.com
