HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-500
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-500 详细参数 受光面 48 × 48 mm 芯片厚度 500 ± 15 μm 非感光层厚度（正面） 1.5 μm 非感光层厚度（背面） 20 μm 满耗电压最大值 170 V 暗电流最大值 200 nA 截止频率 5 MHz 结电容 550 pF 0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 邮箱：2844337877@qq.com
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描述
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-500
详细参数
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受光面 |
48 × 48 mm |
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芯片厚度 |
500 ± 15 μm |
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非感光层厚度（正面） |
1.5 μm |
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非感光层厚度（背面） |
20 μm |
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满耗电压最大值 |
170 V |
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暗电流最大值 |
200 nA |
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截止频率 |
5 MHz |
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结电容 |
550 pF |
0755-84690029 手机/微信：13682357734 QQ:2844337877 邮箱：2844337877@qq.com
